高景深曝光機
用於4英寸、6英寸和8英寸Si、藍寶石、SiC、GaN等圓形襯底，適用於低端泛半導體應用。
| Features |
|
| 解析度 |
0.6 µm |
| 工藝能力 |
2.0~0.6 µm |
| 數值孔徑 |
0.32 |
| 縮小倍率 |
1:1 |
| 焦深(UDOF) (0.8 µm膠)
|
≥3.0 µm |
| 標準曝光場 |
≥30 x 15 mm |
| - 最大長方形 |
31.8 x 11.4 mm |
| - 最大正方形 |
15.5 x 15.5 mm |
| 投影物鏡畸變(100%) |
≥100 nm |
| 對準精度(MVS) (100%) |
≤90 nm |
| 矽片表面光強 |
>1200 mW/cm² |
| 曝光波譜(LED) |
360-370 nm (i-line) |
用於8英寸和12英寸矽、EMC、玻璃和其他材料的圓形和方形襯底，適用於FIWLP/FOWLP和FOPLP先進封裝應用。
| Features |
|
| 解析度 |
0.6 µm |
| 工藝能力 |
2.0~0.6 µm |
| 數值孔徑 |
0.16 |
| 縮小倍率 |
1:1 |
| 焦深(UDOF) (0.8 µm膠)
|
≥±5 µm |
| 標準曝光場 |
44 x 26.7 mm |
| - 最大長方形 |
55 x 28 mm |
| - 最大正方形 |
N/A |
| 投影物鏡畸變(100%) |
≥120 nm |
| 對準精度(MVS) (100%) |
≤200 nm, mean + 3σ |
| 矽片表面光強 |
2800 mW/cm²(ghi) |
| 曝光波譜(LED) |
350-450 nm (ghi-line) |
